中茵微电子申请高速LPDDR电路设计专利，能够对高速LPDDR电路设计过程中的功耗进行精准高效优化

admin 2025-10-29 共237人围观，发现69个评论

金融界2024年9月26日消息，国家知识产权局信息显示，中茵微电子（南京）有限公司申请一项名为“一种高速LPDDR电路设计的功耗优化方法及系统”的专利，公开号CN118690698A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明涉及一种高速LPDDR电路设计的功耗优化方法及系统，属于芯片设计管理技术领域，获取高速LPDDR电路分布模型图中的异常传输电路，并构建气泡图分析异常电路处于信号传输速率下对应的实际运行温度值，得到待优化的功耗异常电路；基于实际波形干扰失真率调整待优化的功耗异常电路与邻近信号电路之间的间距，并获取相应的干扰屏蔽技术进行应用，以降低串扰优化功耗；通过获取制造工艺变化下存储器访问待优化的功耗异常电路的访问冲突率以计算出校准后的时钟缓冲器，并基于校准后的时钟缓冲器优化时钟路径。本发明能够对高速LPDDR电路设计过程中的功耗进行精准高效的优化，提升高速LPDDR电路的运行速率和稳定性。