中茵微电子申请基于Unit单元的去耦电容版图填充方法专利，减少开发周期和成本

admin 2025-10-29 共263人围观，发现42个评论

金融界2024年9月26日消息，国家知识产权局信息显示，中茵微电子（南京）有限公司申请一项名为“一种基于Unit单元的去耦电容版图填充方法”的专利，公开号CN118690714A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于Unit单元的去耦电容版图填充方法，涉及版图电容自动布局技术领域，本发明通过利用FinfetMOS电容和MOM电容共同叠加放置构成多种尺寸固定的组合单元，实现了对结构尺寸的统一化和规范化，能够方便在设计规则的约束下进行对版图的自动填充，免去了人工放置验证的麻烦，不仅减少了手动布局的时间，还能够提高布局的准确性和一致性，减少开发的周期和成本。